参数资料
| 型号： | 7WBD383USG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUS SWITCH 1X1 US8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 类型： | 总线 FET 交换开关 |
| 电路： | 2 x 1:1 |
| 独立电路： | 1 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电源电压： | 4 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | US8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
7WBD383
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
VCC
(V)
TA = 255C
TA =
555C to +1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
VIK
Clamp Diode Voltage
II/O = 18 mA
4.5
1.2
V
VIH
HighLevel Input Voltage
(Control)
4.0 to
5.5
2.0
V
VIL
LowLevel Input Voltage
(Control)
4.0 to
5.5
0.8
V
VOH
Output Voltage High
See Figure 5
IIN
Input Leakage Current
0 v VIN v 5.5 V
5.5
±0.1
±1.0
mA
IOFF
Power Off Leakage Current
VI/O = 0 to 5.5 V
0
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent Supply Current
IO = 0,
VIN = VCC or 0 V
OE = GND
OE = VCC
5.5
±1.0
±0.1
±1.0
mA
DICC
Increase in Supply Current
(Control Pin)
One input at 3.4 V;
Other inputs at VCC
or GND
5.5
2.5
mA
RON
Switch ON Resistance
VI/O = 0,
II/O = 64 mA
II/O = 30 mA
4.5
3
7
W
VI/O = 2.4,
II/O = 15 mA
15
50
VI/O = 2.4,
II/O = 15 mA
4.0
50
70
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
VCC
(V)
TA = 25 5C
TA =
555C to +1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
tPD
Propagation Delay, Bus to Bus
See Figure 6
4.0 to
5.5
0.25
ns
tPDEX
Propagation Delay, EX to Bus
See Figure 6 and
Figure 7
4.0 to
5.5
4.5
ns
tEN
Output Enable Time
See Figure 6
4.5 to
5.5
0.8
2.5
4.2
0.8
4.2
ns
4.0
0.8
3.0
4.6
0.8
4.6
tDIS
Output Disable Time
4.5 to
5.5
0.8
3.0
4.8
0.8
4.8
ns
4.0
0.8
2.9
4.4
0.8
4.4
CIN
Control Input Capacitance
VIN = 5 or 0 V
5.0
2.5
pF
CIO(ON)
Switch On Capacitance
Switch ON
5.0
10
pF
CIO(OFF)
Switch Off Capacitance
Switch OFF
5.0
5
pF
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参数描述 |
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