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参数资料
| 型号： | 934056715115 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, 6 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 934056715115 |
2002 Jun 24
4
Philips Semiconductors
Preliminary specication
Schottky barrier diode
BAT960
GRAPHICAL DATA
handbook, halfpage
0.6
0.2
0
0.4
VF (V)
IF
(mA)
103
102
10
1
101
MHC311
(1)
(2)
(3)
Fig.2
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb =85 °C.
(3) Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
25
0
510
15
IR
(
A)
20
VR (V)
105
104
103
102
10
1
MHC312
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) Tamb = 125 °C.
(2) Tamb =85 °C.
(3) Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
05
Cd
(pF)
10
20
80
60
20
0
40
15
VR (V)
MHC313
Fig.4
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb =25 °C.
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