参数资料
| 型号： | 93AA66T-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 1MHz，2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
93AA46/56/66
TABLE 1-2:
INSTRUCTION SET FOR 93AA46: ORG = 1 (X 16 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X
A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X
0 0 X X X X
Data In
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
Data Out
D15 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
25
9
9
9
25
25
9
TABLE 1-3:
INSTRUCTION SET FOR 93AA46: ORG = 0 (X 8 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
Data In
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
Data Out
D7 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
18
10
10
10
18
18
10
TABLE 1-4:
INSTRUCTION SET FOR 93AA56: ORG = 1 (X 16 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X
0 0 X X X X X X
Data In
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
Data Out
D15 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
27
11
11
11
27
27
11
TABLE 1-5:
INSTRUCTION SET FOR 93AA56: ORG = 0 (X 8 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 1 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
1 0 X X X X X X X
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 1 X X X X X X X
0 0 X X X X X X X
Data In
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
Data Out
D7 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
20
12
12
12
20
20
12
DS20067J-page 4
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XC3SD1800A-5CSG484C | SPARTAN-3ADSP FPGA 1800K 484CSA |
| 93AA66-I/SN | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 93AA56XT-I/SN | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 93AA56X-I/SN | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 93AA56T-I/SN | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93AA66X/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8-256x16 1.8V RP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66XT/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8-256x16 1.8V RP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA76/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8-1024x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA76/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8-1024x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA76A-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8k 1024 X 8 SERIAL EE,1.8V,IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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