参数资料
| 型号： | 93C66C-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1452 (CN2011-ZH PDF) |
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93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
2.5 Erase All (ERAL)
The Erase All ( ERAL ) instruction will erase the entire
memory array to the logical ‘ 1 ’ state. The ERAL cycle
is identical to the erase cycle, except for the different
opcode. The ERAL cycle is completely self-timed and
commences at the falling edge of the CS, except on
‘93C’ devices where the rising edge of CLK before the
last data bit initiates the write cycle. Clocking of the
CLK pin is not necessary after the device has entered
the ERAL cycle.
The DO pin indicates the Ready/ Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (T CSL ).
Note: Issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/ Busy status from DO.
V CC must be ? 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 2-3:
CS
CLK
ERAL TIMING FOR 93AA AND 93LC DEVICES
T CSL
Check Status
DI
1
0
0
1
0
x
???
x
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
High-Z
T EC
V CC must be ? 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 2-4:
ERAL TIMING FOR 93C DEVICES
T CSL
CS
CLK
Check Status
DI
1
0
0
1
0
x
???
x
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
High-Z
T EC
DS21795E-page 8
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 93C66CIST | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4K Microwire Compatible Serial EEPROM |
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