参数资料
| 型号： | 93C86BT-I/OT |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 10/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 3MHZ SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (1K x 16) |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1452 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 93C86BT-I/OTDKR |
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93AA86A/B/C, 93LC86A/B/C, 93C86A/B/C
2.9
Write All (WRAL)
The DO pin indicates the Ready/ Busy status of the
The Write All ( WRAL ) instruction will write the entire
memory array with the data specified in the command.
device if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (T CSL ).
The self-timed auto-erase and programming cycle is
initiated by the rising edge of CLK on the last data bit.
Clocking of the CLK pin is not necessary after the
device has entered the WRAL cycle. The WRAL
command does include an automatic ERAL cycle for
the device. Therefore, the WRAL instruction does not
require an ERAL instruction, but the chip must be in the
EWEN status.
Note:
Note:
The write sequence requires a logic high
signal on the PE pin prior to the rising
edge of the last data bit.
After the Write All cycle is complete,
issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/ Busy status from DO.
V CC must be ? 4.5V for proper operation of WRAL.
FIGURE 2-7:
WRAL TIMING
T CSL
CS
CLK
DI
1
0
0
0
1
x
???
x
Dx
???
D0
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
H IGH -Z
T WL
DS21797L-page 10
? 2003-2012 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 93C86BTIPG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C86BTISNG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C86BTISTG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C86C | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
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