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ALD1101SAL

配单专家企业名单
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  • ALD1101SAL
    ALD1101SAL

    ALD1101SAL

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Advanced Linear Devices I

  • 8-SOIC

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • ALD1101SAL
    ALD1101SAL

    ALD1101SAL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品进口现货 电话010-62104...

  • ALD1101SAL
    ALD1101SAL

    ALD1101SAL

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 250

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • ALD1101SAL
    ALD1101SAL

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 100

  • Advanced Linear Devices I

  • 8-SOIC

  • 17+

  • -
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  • 功能描述
  • MOSFET Dual N-Channel Pair
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
ALD1101SAL 技术参数
  • ALD1101PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1101BSAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1101BPAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1101ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1101APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1105SBL ALD1106PBL ALD1106SBL ALD1107PBL ALD1107SBL ALD110800APCL ALD110800ASCL ALD110800PCL ALD110800SCL ALD110802PCL ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL
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