您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2203页 >

ALD1102BSAL

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • ALD1102BSAL
    ALD1102BSAL

    ALD1102BSAL

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Advanced Linear Devices I

  • 8-SOIC

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
ALD1102BSAL PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
ALD1102BSAL 技术参数
  • ALD1102BPAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1102ASAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1102APAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 P 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1101SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1101PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1107SBL ALD110800APCL ALD110800ASCL ALD110800PCL ALD110800SCL ALD110802PCL ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL
配单专家

在采购ALD1102BSAL进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买ALD1102BSAL产品风险,建议您在购买ALD1102BSAL相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的ALD1102BSAL信息由会员自行提供,ALD1102BSAL内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号