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ALD210802SCL

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    ALD210802SCL

    ALD210802SCL

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Advanced Linear Devices I

  • 16-SOIC

  • 17+

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  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 10V 70MA 16SOIC
ALD210802SCL 技术参数
  • ALD210802PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道,配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210800SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道,配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 欧姆 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210800PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道,配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 欧姆 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD210800ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道,配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 欧姆 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):10mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50 ALD210800APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:4 N 沟道,配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 欧姆 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):10mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:16-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:16-PDIP 标准包装:50 ALD212900ASAL ALD212900PAL ALD212900SAL ALD212902PAL ALD212902SAL ALD212904PAL ALD212904SAL ALD212908APAL ALD212908ASAL ALD212908PAL ALD212908SAL ALD212914PAL ALD212914SAL ALD214012PJ111 ALD2301APAL ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL
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