配单专家企业名单

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供应商
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOT-5050HPW-0203BR-Z
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
64000
AOT
5050()
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AOT-5050HPW-0203BR-Z
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
19815
AOT
SMD
21+
-
原厂原装现货

AOT-5050HPW-0203BR-Z
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
14866
AOT
SMD
2024+
-
代理原装现货假一赔十

AOT-5050HPW-0203BR-Z
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
AOT
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AOT-5050HPW-0203BR-Z
深圳市粤科源兴科技有限公司
深圳市粤科源兴科技有限公司
联系人：谢先生
电话：13392885468
地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室
资质：营业执照
1000
AOT
原装现货国内最低价
-
原装现货/价格优势

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您是不是要找： AOT5B60D AOT5B65M1 AOT5N100 AOT5N50 AOT5N50_001 AOT5N60 AOT7N60 AOT7N65 AOT7N70

AOT-5050HPW-0203BR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOT-5050HPW-0203BR 技术参数

AOT502 功能描述:MOSFET N-CH 33V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT500 功能描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:33V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:115W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AOT4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:615pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT7S60L AOT7S65L AOT8N50 AOT8N60 AOT8N65 AOT8N65_001 AOT8N80L AOT8N80L_001 AOT9N40L AOT9N50 AOT9N70 AOTF10B60D AOTF10B60D2 AOTF10B65M1 AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60