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AOU3N60_001

配单专家企业名单
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  • AOU3N60_001
    AOU3N60_001

    AOU3N60_001

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-251-3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 过期
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 2.5A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 3.5 欧姆 @ 1.25A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 370pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 56.8W
  • 工作温度
  • -50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装
  • TO-251-3
  • 标准包装
  • 1
AOU3N60_001 技术参数
  • AOU3N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):370pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOU3N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):331pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOU2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:80 AOU2N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:1 AOU2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290
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