AOU2N60_001

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AOU2N60_001
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
TO-251-3
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
325pF @ 25V
功率 - 最大值
56.8W
工作温度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装
TO-251-3
标准包装
1

AOU2N60_001 技术参数

AOU2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOU1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 650mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:4,000 AOTS40B65H1 功能描述:IGBT 650V 40A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 功率 - 最大值:300W 开关能量:1.27mJ（开），460μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:63nC 25°C 时 Td（开/关）值:41ns/130ns 测试条件:400V、 40A、 7.5 欧姆、 15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF9N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2560pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500