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APT10DC120HJ

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说明
操作

APT10DC120HJ
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
ISOTOP，SOT-227
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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您是不是要找： APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module

APT10DC120HJ 技术参数

APT-106-T 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件状态:有效标准包装:700 APT106N60B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:106A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 53A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:308nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8390pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT-106 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件状态:有效标准包装:36 APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:30 APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG