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APT13F120S

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  • APT13F120S
    APT13F120S

    APT13F120S

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

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  • 瑞智芯 只有原装

  • APT13F120S
    APT13F120S

    APT13F120S

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 30

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

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  • 代理渠道可追溯现货库存F

  • APT13F120S
    APT13F120S

    APT13F120S

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • TO-268

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT13F120S
    APT13F120S

    APT13F120S

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • D3S

  • 最新批号

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  • APT13F120S
    APT13F120S

    APT13F120S

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
APT13F120S 技术参数
  • APT13F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT13005T-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO220AB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):900mV @ 1A,4A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 APT13005TF-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO2203 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):900mV @ 1A,4A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:28W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1,000 APT13005SU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 3.2A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 750mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:4,000 APT13005STF-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 3.2A TO220 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 750mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:28W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片 供应商器件封装:TO-220F-3 标准包装:1,000 APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG
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