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APT14M120BMI

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  • APT14M120BMI
    APT14M120BMI

    APT14M120BMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

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APT14M120BMI 技术参数
  • APT14M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14M100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3965pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):880 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 APT14M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14F100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道、FREDFET FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):980 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT14F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):980 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG APT15DQ100KG APT15DQ120BCTG APT15DQ120BG APT15DQ120KG
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