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APT34N80LC3G

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 批号
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  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人：李林

    电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3

    地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质：营业执照

  • 15862

  • MICROSEMI

  • Standa..

  • 22+

  • -

  • 全新原装正品现货热卖

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质：营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-264L

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • APT34N80LC3GMI
    APT34N80LC3GMI

    APT34N80LC3GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：欧阳先生

    电话：13714291754

    地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -

  • 100%进口原装正品，只做原装

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 39800

  • MICROSE

  • TO-264

  • 新年份

  • -

  • 一级代理全新原装现货特价！

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 18652

  • APT/ MICROSEMI

  • Standard

  • 2024+

  • -

  • 代理商库房现货

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • TO-264 [L]

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • APT

  • TO-264

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：苗凤军

    电话：17623594308

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 3580

  • MICROCHIP

  • TO-264-3

  • 2222+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • APT34N80LC3G
    APT34N80LC3G

    APT34N80LC3G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT34N80LC3G 技术参数
  • APT34N80B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 22A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:355nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4510pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT34M60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT34M120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT34F60BG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 APT34F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6640pF @ 25V 功率 - 最大值:624W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ
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