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APT35GP120B2D2

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 价格
  • 说明
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  • APT35GP120B2D2
    APT35GP120B2D2

    APT35GP120B2D2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • 29

  • APT

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APT35GP120B2D2G
    APT35GP120B2D2G

    APT35GP120B2D2G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT35GP120B2D2
    APT35GP120B2D2

    APT35GP120B2D2

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • TO-247无

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • APT35GP120B2D2
    APT35GP120B2D2

    APT35GP120B2D2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT35GP120B2D2
    APT35GP120B2D2

    APT35GP120B2D2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 14000

  • isc,iscsemi

  • PLUS247,T-Max

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
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  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
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APT35GP120B2D2 技术参数
  • APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):94A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 开关能量:2.315mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/300ns 测试条件:800V,35A,2.2 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):94A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 功率 - 最大值:379W 开关能量:2.315mJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:220nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/300ns 测试条件:800V,35A,2.2 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 开关能量:642μJ(开),382μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/104ns 测试条件:600V,18A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,18A 功率 - 最大值:290W 开关能量:642μJ(开),382μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:84nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/104ns 测试条件:600V,18A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):1200V 电流 - DC 正向(If):35A 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG
配单专家

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