APT4014BVFRG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT4014BVFRG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
218
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APT4014BVFRG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT4014BVFRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ

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功能描述
MOSFET N-CH 400V 28A TO-247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
POWER MOS V®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

APT4014BVFRG 技术参数

APT39M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT39F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11300pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT38N60SC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:112nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2826pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:278W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 18A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT38N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:112nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2826pF @ 25V 功率 - 最大值:278W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT38M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G APT40GP60BG APT40GP60JDQ2 APT40GP60SG APT40GP90B2DQ2G APT40GP90BG APT40GP90J APT40GP90JDQ2 APT40GR120B APT40GR120B2D30 APT40GR120B2SCD10 APT40GR120S