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APT4M120K IC

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  • APT4M120K IC
    APT4M120K IC

    APT4M120K IC

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • APT

  • TO-220

  • 23+

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APT4M120K IC PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APT4M120K IC 技术参数
  • APT4M120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1385pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT4F120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1385pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 APT48M80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT48M80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT47N65BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7015pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT5014BLLG APT5014SLLG APT5014SLLG/TR APT5016BFLLG APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2
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