APT50GF120BN

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APT50GF120BN 技术参数

APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:50A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1200V 电流 - DC 正向（If）:50A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50DF170HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1700V 50A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1700V 电流 - DC 正向（If）:50A 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT5025BN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 11.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G