配单专家企业名单

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说明
操作

APT50GL60BN
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
APT
TO247
15+
-
原装正品，假一罚十

APT50GL60BN
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ADPOW
标准封装
N/A
-
全新原装100%正品保证质量

APT50GL60BN
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ADPOW
标准封装
13+
-

APT50GL60BN
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

APT50GL60BN
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9800
APT
TO247
18+
-
优势库存，原装现货

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您是不是要找： APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247

APT50GL60BN 技术参数

APT50GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 75A 277W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.25nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GF120LRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT50GF120JRDQ3 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:521W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:750μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.32nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:135A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，50A 功率 - 最大值:781W 开关能量:3.6mJ（开）， 2.64mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:340nC 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/260ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG