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APTC60AM35SCT

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
  • 操作
  • APTC60AM35SCTG
    APTC60AM35SCTG

    APTC60AM35SCTG

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP4

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APTC60AM35SCTG
    APTC60AM35SCTG

    APTC60AM35SCTG

  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
    深圳市悦兴晨电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋607室 柜台号新亚洲二期N2B227

  • 23587

  • Microsemi Power Products

  • 原厂封装

  • 2023+

  • -
  • 原装新到现货库存

  • APTC60AM35SCT
    APTC60AM35SCT

    APTC60AM35SCT

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 3000

  • isc,iscsemi

  • N93X40-9L

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APTC60AM35SCTG
    APTC60AM35SCTG

    APTC60AM35SCTG

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • 原厂

  • 原封

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APTC60AM35SCTG
    APTC60AM35SCTG

    APTC60AM35SCTG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Phase leg Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module
APTC60AM35SCT 技术参数
  • APTC60AM24T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 47.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60AM24SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(相角) FET 功能:超级结 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 47.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC60AM242G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 47.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:* 标准包装:1 APTC60AM18SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):143A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 71.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1036nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTB1615YSGC-F01 功能描述:Green, Yellow 568nm Green, 588nm Yellow LED Indication - Discrete 2.2V Green, 2.1V Yellow 0606 (1616 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:绿,黄 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:12mcd 绿,8mcd 黄 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 1.50mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.2V 绿,2.1V 黄 电流 - 测试:20mA 绿,20mA 黄 视角:120° 安装类型:表面贴装 波长 - 主:568nm 绿,588nm 黄 波长 - 峰值:565nm 绿,590nm 黄 特性:- 封装/外壳:0606(1616 公制) 供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 长 x 1.50mm 宽 高度(最大值):0.70mm 标准包装:1 APTC60BBM24T3G APTC60DAM18CTG APTC60DAM24T1G APTC60DAM35T1G APTC60DDAM24T3G APTC60DDAM35T3G APTC60DDAM45T1G APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG
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