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APTGT50TD170P

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  • APTGT50TD170P
    APTGT50TD170P

    APTGT50TD170P

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • APTGT50TD170P
    APTGT50TD170P

    APTGT50TD170P

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APTGT50TD170P
    APTGT50TD170P

    APTGT50TD170P

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 价格优势

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 1
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APTGT50TD170P 技术参数
  • APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 600V 80A 176W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三相 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT50TA170PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三相 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT50SK170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT50SK170T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT50SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 70A 310W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):6mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT600SK60G APTGT600U120D4G APTGT600U170D4G APTGT750U60D4G APTGT75A1202G APTGT75A120D1G APTGT75A120T1G APTGT75A120TG APTGT75A170D1G APTGT75A60T1G APTGT75DA120D1G APTGT75DA120T1G APTGT75DA120TG APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G
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