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APTR3216MBC

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  • APTR3216MBC
    APTR3216MBC

    APTR3216MBC

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • KINGBRIGHT

  • 原厂封装

  • 09/10+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • APTR3216MBC
    APTR3216MBC

    APTR3216MBC

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 15000

  • KINGBRIGHT

  • LED

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 制造商
  • Kingbright Corporation
  • 功能描述
  • LED Uni-Color Blue 430nm 2-Pin Chip LED T/R
APTR3216MBC 技术参数
  • APTR3216EC 功能描述:Red 617nm LED Indication - Discrete 2V 1206 (3216 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:红 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:8mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.40mm x 1.60mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):2V 电流 - 测试:20mA 视角:120° 安装类型:表面贴装,底部进入 波长 - 主:617nm 波长 - 峰值:627nm 特性:- 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:3.20mm 长 x 1.60mm 宽 高度(最大值):1.05mm 标准包装:1 APTR3216CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 1206 (3216 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 颜色:绿 透镜颜色:无色 透镜透明度:透明 毫烛光等级:50mcd 透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.40mm x 1.60mm 电压 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 电流 - 测试:20mA 视角:120° 安装类型:表面贴装,底部进入 波长 - 主:570nm 波长 - 峰值:574nm 特性:- 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:3.20mm 长 x 1.60mm 宽 高度(最大值):1.05mm 标准包装:1 APTML60U12R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):568W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 22.5A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTML602U12R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 22.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML50UM90R020T1AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):52A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):568W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):108 毫欧 @ 26A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ APTS006A0X-SRDZ APTS006A0X-SRZ APTS012A0X3-SRDZ APTS012A0X3-SRZ APTS012A0X43-SRZ APTS020A0X3-SRDZ APTS020A0X3-SRZ APTS020A0X43-SRZ APTS030A0X3-SRHZ APTS030A0X3-SRPHZ
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