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AUIRF7665S2TR IC

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AUIRF7665S2TR IC
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
INFINEON/英飞凌
SMD
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AUIRF7665S2TR IC 技术参数

AUIRF7665S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta），14.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 8.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SB 供应商器件封装:DIRECTFET SB 标准包装:4,800 AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 41A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.9A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Ta），21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SB 供应商器件封装:DIRECTFET SB 标准包装:1 AUIRF7484QTR 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409