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AUIRFS4127TRL

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • INFINEON/英飞凌

  • TO263

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • AUIRFS4127TRL
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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • SOD-263

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • D?PAK(TO-263AB)

  • 19+

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  • 代理直销!进口原装正品!

  • AUIRFS4127TRL
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • D?PAK

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  • 全新原装现货

  • AUIRFS4127TRL
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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

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  • INFINEON

  • TO263

  • 23+

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  • 原厂原装正品现货

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 6100

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  • TO263

  • 2023+

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • INFINEON

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  • 23+

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  • 汽车MOSFET

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Infineontechnologies

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

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  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

  • 1270

  • Infineon(英飞凌)

  • 22+

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

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  • 原装正品

  • AUIRFS4127TRL
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  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

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  • Infineon Technologies

  • D?PAK(TO-263AB)

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  • 功能描述
  • MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101,HEXFET?
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 72A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 22 毫欧 @ 44A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 150nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5380pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 375W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • *
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • D2PAK(TO-263AB)
  • 标准包装
  • 800
AUIRFS4127TRL 技术参数
  • AUIRFS4127 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 44A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK(TO-263AB) 标准包装:50 AUIRFS4115TRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):99A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.1 毫欧 @ 62A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS4115-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 105A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.8 毫欧 @ 63A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5320pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRFS4115-7P 功能描述:MOSFET N-CH 150V 105A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.8 毫欧 @ 63A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5320pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRFS4115 功能描述:MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):99A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.1 毫欧 @ 62A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405 AUIRFS8405TRL AUIRFS8407 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310
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