参数资料
| 型号： | A3PN060-2VQ100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 2/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano Device Overview
1-4
Revision 11
The FPGA core consists of a sea of VersaTiles. Each VersaTile can be configured as a three-input logic
function, a D-flip-flop (with or without enable), or a latch by programming the appropriate flash switch
interconnections. The versatility of the ProASIC3 nano core tile as either a three-input lookup table (LUT)
equivalent or as a D-flip-flop/latch with enable allows for efficient use of the FPGA fabric. The VersaTile
capability is unique to the ProASIC3 family of third-generation architecture flash FPGAs. VersaTiles are
connected with any of the four levels of routing hierarchy. Flash switches are distributed throughout the
device to provide nonvolatile, reconfigurable interconnect programming. Maximum core utilization is
possible for virtually any design.
Figure 1-3 ProASIC3 nano Device Architecture Overview with Two I/O Banks (A3PN060 and A3PN125)
Figure 1-4 ProASIC3 nano Device Architecture Overview with Four I/O Banks (A3PN250)
RAM Block
4,608-Bit Dual-Port
SRAM or FIFO Block
VersaTile
CCC
I/Os
ISP AES
Decryption
User Nonvolatile
FlashROM
Charge Pumps
Bank 0
Bank
1
Bank
1
Bank
0
Bank
0
Bank 1
RAM Block
4,608-Bit Dual-Port
SRAM or FIFO Block
VersaTile
CCC
I/Os
ISP AES
Decryption
User Nonvolatile
FlashROM
Charge Pumps
Bank 0
Bank
3
Bank
3
Bank
1
Bank
1
Bank 2
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参数描述 |
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