参数资料
型号: A3PN250-VQ100
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 56/114页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
标准包装: 90
系列: ProASIC3 nano
RAM 位总计: 36864
输入/输出数: 68
门数: 250000
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-32
Revision 11
Table 2-42 2.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.60
6.40
0.04
1.43
1.63
0.43
6.16
6.40
2.27
2.29
ns
–1
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5.45
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1.39
0.36
5.24
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1.93
1.95
ns
–2
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4.78
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1.07
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0.32
4.60
4.78
1.70
1.71
ns
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Std.
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6.40
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ns
–1
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ns
–2
0.45
4.78
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4.78
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1.71
ns
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Std.
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ns
–1
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–2
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3.74
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ns
8 mA
Std.
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ns
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3.66
3.74
1.94
2.16
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
Table 2-43 2.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.3 V
Software Default Load at 10 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
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tHZ
Units
2 mA
Std.
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ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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