参数资料
| 型号： | A3PN250-VQ100 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 67/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-42
Revision 11
Input Register
Timing Characteristics
Figure 2-12 Input Register Timing Diagram
50%
Preset
Clear
Out_1
CLK
Data
Enable
t
ISUE
50%
t
ISUD
t
IHD
50%
t
ICLKQ
1
0
t
IHE
t
IRECPRE
t
IREMPRE
t
IRECCLR
t
IREMCLR
t
IWCLR
t
IWPRE
t
IPRE2Q
t
ICLR2Q
t
ICKMPWH tICKMPWL
50%
Table 2-58 Input Data Register Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1 Std. Units
tICLKQ
Clock-to-Q of the Input Data Register
0.24 0.27 0.32
ns
tISUD
Data Setup Time for the Input Data Register
0.26 0.30 0.35
ns
tIHD
Data Hold Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tICLR2Q
Asynchronous Clear-to-Q of the Input Data Register
0.45 0.52 0.61
ns
tIPRE2Q
Asynchronous Preset-to-Q of the Input Data Register
0.45 0.52 0.61
ns
tIREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIREMPRE
Asynchronous Preset Removal Time for the Input Data Register
0.00 0.00 0.00
ns
tIRECPRE
Asynchronous Preset Recovery Time for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tIWPRE
Asynchronous Preset Minimum Pulse Width for the Input Data Register
0.22 0.25 0.30
ns
tICKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for the Input Data Register
0.36 0.41 0.48
ns
tICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for the Input Data Register
0.32 0.37 0.43
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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