参数资料
型号: AD5160BRJZ100-R2
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 4/16页
文件大小: 0K
描述: IC DGTL POT 100K SPI SOT23-8
标准包装: 1
接片: 256
电阻(欧姆): 100k
电路数: 1
温度系数: 标准值 45 ppm/°C
存储器类型: 易失
接口: 3 线串行(芯片选择)
电源电压: 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-8
供应商设备封装: SOT-23-8
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: AD5160BRJZ100R2CT
AD5160
Rev. B | Page 12 of 1
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TEST CIRCUITS
Figure 28 to Figure 36 illustrate the test circuits that define the test conditions used in the product specification tables.
VMS
A
W
DUT
B
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
V+
Figure 28. Test Circuit for Potentiometer Divider Nonlinearity Error (INL, DNL)
NO CONNECT
IW
VMS
A
W
B
DUT
Figure 29. Test Circuit for Resistor Position Nonlinearity Error
(Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
VMS1
IW = VDD/RNOMINAL
VMS2
VW
RW = [VMS1 – VMS2]/IW
A
W
DUT
B
Figure 30. Test Circuit for Wiper Resistance
ΔV
ΔVMS%
DD%
PSS (%/%) =
V+= VDD 10%
PSRR (dB) = 20 LOG
MS
DD
(
)
VDD
VA
VMS
A
W
B
V+
Figure 31. Test Circuit for Power Supply Sensitivity (PSS, PSSR)
OP279
W
5V
B
VOUT
OFFSET
A
DUT
GND
OFFSET
BIAS
VIN
Figure 32. Test Circuit for Inverting Gain
B
A
VIN
OP279
W
5V
VOUT
OFFSET
GND
OFFSET
BIAS
DUT
Figure 33. Test Circuit for Noninverting Gain
+15V
–15V
W
A
2.5V
B
VOUT
OFFSET
GND
DUT
AD8610
VIN
Figure 34. Test Circuit for Gain vs. Frequency
W
B
VSS TO VDD
DUT
ISW
CODE = 0x00
RSW =
0.1V
ISW
0.1V
Figure 35. Test Circuit for Incremental On Resistance
W
B
VCM
ICM
A
NC
VDD DUT
GND
NC
VSS
NC = NO CONNECT
Figure 36. Test Circuit for Common-Mode Leakage Current
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