参数资料
型号: AD5161BRM10-RL7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 4/20页
文件大小: 0K
描述: IC DGTL POT SPI 256POS 10-MSOP
标准包装: 1,000
接片: 256
电阻(欧姆): 10k
电路数: 1
温度系数: 标准值 45 ppm/°C
存储器类型: 易失
接口: I²C,SPI
电源电压: 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 10-MSOP
包装: 带卷 (TR)
AD5161
Data Sheet
Rev. B | Page 12 of 20
TEST CIRCUITS
Figure 28 to Figure 36 illustrate the test circuits that define the test conditions used in the product specification tables.
VMS
A
W
B
DUT
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
V+
Figure 28. Test Circuit for Potentiometer Divider Nonlinearity Error (INL, DNL)
NO CONNECT
IW
VMS
A
W
B
DUT
Figure 29. Test Circuit for Resistor Position Nonlinearity Error
(Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
VMS1
IW = VDD /RNOMINAL
VMS2
VW
RW = [VMS1 – VMS2]/IW
A
W
B
DUT
Figure 30. Test Circuit for Wiper Resistance
V
MS%
DD%
PSS (%/%) =
V+ = VDD 10%
PSRR (dB) = 20 LOG
MS
DD
(
)
VDD
VA
VMS
A
W
B
V+
Figure 31. Test Circuit for Power Supply Sensitivity (PSS, PSSR)
OP279
W
5V
B
VOUT
OFFSET
GND
OFFSET
BIAS
A
DUT
VIN
Figure 32. Test Circuit for Inverting Gain
B
A
VIN
OP279
W
5V
VOUT
OFFSET
GND
OFFSET
BIAS
DUT
Figure 33. Test Circuit for Noninverting Gain
+15V
–15V
W
A
2.5V
B
VOUT
OFFSET
GND
DUT
AD8610
VIN
Figure 34. Test Circuit for Gain vs. Frequency
W
B
VSS TO VDD
DUT
ISW
CODE = 0x00
RSW =
0.1V
ISW
0.1V
Figure 35. Test Circuit for Incremental ON Resistance
W
B
VCM
ICM
A
NC
GND
NC
VSS
VDD
DUT
NC = NO CONNECT
Figure 36. Test Circuit for Common-Mode Leakage Current
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