参数资料
| 型号： | AD8065WARTZ-R7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 27/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP VF R-R LN LP SOT23-5 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | FastFET™ |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 180 V/µs |
| -3db带宽： | 145MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 3pA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 6.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 24 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AD8065WARTZ-R7DKR |
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AD8065/AD8066
Rev. J | Page 6 of 28
SPECIFICATIONS ±12 V
@ TA = 25°C, VS = ±12 V, RL = 1 kΩ, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC PERFORMANCE
3 dB Bandwidth
G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8065)
100
145
MHz
G = +1, VO = 0.2 V p-p (AD8066)
100
115
MHz
G = +2, VO = 0.2 V p-p
50
MHz
G = +2, VO = 2 V p-p
40
MHz
Bandwidth for 0.1 dB Flatness
G = +2, VO = 0.2 V p-p
7
MHz
Input Overdrive Recovery
G = +1, 12.5 V to +12.5 V
175
ns
Output Overdrive Recovery
G = 1, 12.5 V to +12.5 V
170
ns
Slew Rate
G = +2, VO = 4 V step
130
180
V/μs
Settling Time to 0.1%
G = +2, VO = 2 V step
55
ns
G = +2, VO = 10 V step
250
ns
NOISE/HARMONIC PERFORMANCE
SFDR
fC = 1 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p
100
dBc
fC = 5 MHz, G = +2, VO = 2 V p-p
67
dBc
fC = 1 MHz, G = +2, VO = 10 V p-p
85
dBc
Third-Order Intercept
fC = 10 MHz, RL = 100 Ω
24
dBm
Input Voltage Noise
f = 10 kHz
7
nV/√Hz
Input Current Noise
f = 10 kHz
1
fA/√Hz
Differential Gain Error
NTSC, G = +2, RL = 150 Ω
0.04
%
Differential Phase Error
NTSC, G = +2, RL = 150 Ω
0.03
Degrees
DC PERFORMANCE
Input Offset Voltage
VCM = 0 V, SOIC package
0.4
1.5
mV
Input Offset Voltage Drift
1
17
μV/°C
Input Bias Current
SOIC package
3
7
pA
TMIN to TMAX
25
pA
Input Offset Current
2
10
pA
TMIN to TMAX
2
pA
Open-Loop Gain
VO = ±10 V, RL = 1 kΩ
103
114
dB
INPUT CHARACTERISTICS
Common-Mode Input Impedance
1000 || 2.1
GΩ || pF
Differential Input Impedance
1000 || 4.5
GΩ || pF
Input Common-Mode Voltage Range
FET Input Range
12 to +8.5
12.0 to +9.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
VCM = 1 V to +1 V
85
100
dB
VCM = 1 V to +1 V (SOT-23)
82
91
dB
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage Swing
RL = 1 kΩ
11.8 to +11.8
11.9 to +11.9
V
RL = 350 Ω
11.25 to +11.5
V
Output Current
VO = 22 V p-p, SFDR ≥ 60 dBc, f = 500 kHz
30
mA
Short-Circuit Current
120
mA
Capacitive Load Drive
30% overshoot G = +1
25
pF
POWER SUPPLY
Operating Range
5
24
V
Quiescent Current per Amplifier
6.6
7.4
mA
Power Supply Rejection Ratio
±PSRR
84
93
dB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| PPTC391LGBN | CONN FEMALE 39POS .100" R/A TIN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AD8066AR-EBZ | 功能描述:BOARD EVAL FOR AD8066AR RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估板 - 运算放大器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- |
| AD8066ARM | 功能描述:IC OPAMP VF R-R DUAL LN LP 8MSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:FastFET™ 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 |
| AD8066ARM-EBZ | 功能描述:BOARD EVAL FOR AD8066ARM RoHS:是 类别:编程器，开发系统 >> 评估板 - 运算放大器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- |
| AD8066ARM-REEL | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual Volt Fdbk R-R O/P ±12V/24V 8-Pin MSOP T/R |
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