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参数资料
型号： AD8222HBCPZ-WP
厂商： Analog Devices Inc
文件页数： 18/24页
文件大小： 0K
描述： IC AMP INST DUAL PREC LN 16LFCSP
标准包装： 64
放大器类型： 仪表
电路数： 2
转换速率： 2 V/µs
-3db带宽： 1.2MHz
电流 - 输入偏压： 60pA
电压 - 输入偏移： 120µV
电流 - 电源： 900µA
电流 - 输出 / 通道： 18mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 4.6 V ~ 36 V，±2.3 V ~ 18 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN，CSP
供应商设备封装： 16-LFCSP（4x4）
包装： 托盘 - 晶粒
AD8222
Rev. A | Page 3 of 24
SPECIFICATIONS
VS = ±15 V, VREF = 0 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ, unless otherwise noted.
Table 2. Single-Ended and Differential1 Output Configuration
A Grade
B Grade
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
COMMON-MODE REJECTION
RATIO (CMRR)
VCM = –10 V to +10 V
CMRR DC to 60 Hz
1 kΩ source imbalance
G = 1
80
86
dB
G = 10
100
106
dB
G = 100
120
126
dB
G = 1000
130
140
dB
CMRR at 4 kHz
G = 1
80
dB
G = 10
90
100
dB
G = 100
100
110
dB
G = 1000
100
110
dB
CMRR Drift
TA = 40°C to +85°C, G = 1
0.07
μV/V/°C
NOISE
Voltage Noise, 1 kHz
RTI noise = √(eNI2 + (eNO/G)2)
Input Voltage Noise, eNI
V+IN, VIN, VREF = 0 V
8
nV/√Hz
Output Voltage Noise, eNO
V+IN, VIN, VREF = 0 V
75
nV/√Hz
RTI
f = 0.1 Hz to 10 Hz
G = 1
2
μV p-p
G = 10
0.5
μV p-p
G = 100 to 1000
0.25
μV p-p
Current Noise
f = 1 kHz
40
fA/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
6
pA p-p
VOLTAGE OFFSET
RTI VOS = (VOSI) + (VOSO/G)
Input Offset, VOSI
VS = ±5 V to ±15 V
120
60
μV
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
150
80
μV
Average TC
0.4
0.3
μV/°C
Output Offset, VOSO
VS = ±5 V to ±15 V
500
350
μV
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
0.8
0.5
mV
Average TC
9
5
μV/°C
Offset RTI vs. Supply (PSR)
VS = ±2.3 V to ±18 V
G = 1
90
110
94
110
dB
G = 10
110
120
114
130
dB
G = 100
124
130
140
dB
G = 1000
130
140
150
dB
INPUT CURRENT (PER CHANNEL)
Input Bias Current, IBIAS
0.5
2.0
0.2
1.0
nA
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
3.0
1.5
nA
Average TC
1
pA/°C
Input Offset Current, IOFFSET
0.2
1
0.1
0.5
nA
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
1.5
0.6
nA
Average TC
1
0.5
2
pA/°C
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PDF描述
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