参数资料
型号: AD8231TCPZ-EP-R7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 16/20页
文件大小: 0K
描述: IC INSTR AMP PROGR ENH 16LFCSP
标准包装: 1,500
放大器类型: 仪表
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 1.1 V/µs
增益带宽积: 7MHz
电流 - 输入偏压: 250pA
电压 - 输入偏移: 4µV
电流 - 电源: 4mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 6 V,±1.5 V ~ 3 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘,CSP
供应商设备封装: 16-LFCSP-VQ EP(4x4)
包装: 带卷 (TR)
AD8231-EP
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VS = 3.0 V, VREF = 1.5 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 10 kΩ, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INSTRUMENTATION AMPLIFIER
Offset Voltage
VOS RTI = VOSI + VOSO/G
Input Offset, VOSI
4
15
μV
Average Temperature Drift
0.01
0.05
μV/°C
Output Offset, VOSO
15
30
μV
Average Temperature Drift
0.05
0.5
μV/°C
Input Currents
Input Bias Current
250
500
pA
TA = 55°C to +125°C
5
nA
Input Offset Current
20
100
pA
TA = 55°C to +125°C
0.5
nA
Gains
1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, or 128
Gain Error
G = 1
0.05
%
G = 2 to 128
0.8
%
Gain Drift
TA = 55°C to +125°C
G = 1 to 32
3
10
ppm/°C
G = 64
4
20
ppm/°C
G = 128
10
30
ppm/°C
CMRR
G = 1
80
dB
G = 2
86
dB
G = 4
92
dB
G = 8
98
dB
G = 16
104
dB
G = 32
110
dB
G = 64
110
dB
G = 128
110
dB
Noise
en = √(eni2 + (eno/G)2)
VIN+, VIN = 2.5 V, TA = 25°C
Input Voltage Noise, eni
f = 1 kHz
40
nV/√Hz
f = 1 kHz, TA = 55°C
35
nV/√Hz
f = 1 kHz, TA = 125°C
48
nV/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
0.8
μV p-p
Output Voltage Noise, eno
f = 1 kHz
72
nV/√Hz
f = 1 kHz, TA = 55°C
62
nV/√Hz
f = 1 kHz, TA = 125°C
83
nV/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
1.4
μV p-p
Current Noise
f = 10 Hz
20
fA/√Hz
Other Input Characteristics
Common-Mode Input Impedance
10||5
GΩ||pF
Power Supply Rejection Ratio
100
115
dB
Input Operating Voltage Range
0.05
2.95
V
Reference Input
Input Impedance
28
kΩ||pF
Voltage Range
0.2
+3.2
V
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