参数资料
型号: AD8510BR-REEL
厂商: Analog Devices Inc
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文件大小: 0K
描述: IC OPAMP JFET 8MHZ PREC LN 8SOIC
设计资源: Versatile High Precision Programmable Current Sources Using DACs, Op Amps, and MOSFET Transistors (CN0151)
标准包装: 2,500
放大器类型: J-FET
电路数: 1
转换速率: 20 V/µs
增益带宽积: 8MHz
电流 - 输入偏压: 25pA
电压 - 输入偏移: 80µV
电流 - 电源: 2.2mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
AD8510/AD8512/AD8513
Rev. I | Page 4 of 20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ VS = ±15 V, VCM = 0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage (B Grade)1
VOS
0.08
0.4
mV
40°C < TA < +125°C
0.8
mV
Offset Voltage (A Grade)
VOS
0.1
1.0
mV
40°C < TA < +125°C
1.8
mV
Input Bias Current
IB
25
80
pA
40°C < TA < +85°C
0.7
nA
40°C < TA < +125°C
10
nA
Input Offset Current
IOS
6
75
pA
40°C < TA < +85°C
0.3
nA
40°C < TA < +125°C
0.5
nA
Input Capacitance
Differential
12.5
pF
Common Mode
11.5
pF
Input Voltage Range
13.5
+13.0
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 12.5 V to +12.5 V
86
108
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VCM = 0 V,
VO = 13.5 V to +13.5 V
115
196
V/mV
Offset Voltage Drift (B Grade)1
ΔVOS/ΔT
1.0
5
μV/°C
Offset Voltage Drift (A Grade)
ΔVOS/ΔT
1.7
12
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 kΩ
+14.0
+14.2
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 kΩ, 40°C < TA < +125°C
14.9
14.6
V
Output Voltage High
VOH
RL = 2 kΩ
+13.8
+14.1
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 2 kΩ, 40°C < TA < +125°C
–14.8
14.5
V
Output Voltage High
VOH
RL = 600 Ω
+13.5
+13.9
V
RL = 600 Ω, 40°C < TA < +125°C
+11.4
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 600 Ω
14.3
13.8
V
RL = 600 Ω, 40°C < TA < +125°C
12.1
V
Output Current
IOUT
±70
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±4.5 V to ±18 V
86
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
AD8510/AD8512/AD8513
VO = 0 V
2.2
2.5
mA
AD8510/AD8512
40°C < TA < +125°C
2.6
mA
AD8513
40°C < TA < +125°C
3.0
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
20
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
8
MHz
Settling Time
tS
To 0.1%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.5
μs
To 0.01%, 0 V to 10 V step, G = +1
0.9
μs
Total Harmonic Distortion (THD) + Noise
THD + N
1 kHz, G = +1, RL = 2 kΩ
0.0005
%
Phase Margin
φM
52
Degrees
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