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参数资料
| 型号： | ADG1208YRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Power Line Monitoring Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | iCMOS® |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 475 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 220µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 789 (CN2011-ZH PDF) |
ADG1208/ADG1209
Rev. B | Page 11 of 20
150
–150
0
10
2030
4050607080
90 100 110 120
TEMPERATURE (°C)
L
E
AK
AG
E
CU
RRE
N
T
(
p
A)
100
50
0
–50
–100
IS (OFF) + –
ID (OFF) + –
IS (OFF) – +
ID (OFF) – +
ID, S (ON) – –
ID, S (ON) + +
05
71
3-
05
8
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V/10V
Figure 13. ADG1208 Leakage Currents as a Function of Temperature,
Single Supply
0
57
13
-03
5
LOGIC, INX (V)
I DD
(
A
)
200
60
80
100
120
140
160
180
40
20
0
2
4
6
8
101214
16
VDD = +12V
VSS =0V
VDD =+15V
VSS = –15V
IDD PER CHANNEL
TA =25°C
Figure 14. IDD vs. Logic Level
VS (V)
CHA
RG
E
I
N
JE
C
T
IO
N
(
p
C)
1.0
0
–15
15
0
571
3-
0
40
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–10
–5
0
5
10
MUX (SOURCE TO DRAIN)
TA = 25°C
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD =+5V
VSS =–5V
VDD = +12V
VSS =0V
Figure 15. Source-to-Drain Charge Injection vs. Source Voltage
VS (V)
CHA
RG
E
I
N
JE
C
T
IO
N
(
p
C)
6
–6
–15
15
0
571
3-
0
41
–10
–5
0
5
10
DEMUX (DRAIN TO SOURCE)
TA = 25°C
4
2
0
–2
–4
VDD = +15V
VSS =–15V
VDD =+5V
VSS = –5V
VDD =+12V
VSS =0V
Figure 16. Drain-to-Source Charge Injection vs. Source Voltage
350
0
–40
TEMPERATURE (°C)
TIME
(ns
)
300
250
200
150
100
50
–20
0
20
40
60
80
100
120
VDD =+5V
VSS =–5V
VDD =+12V
VSS =0V
VDD =+15V
VSS = –15V
05
71
3-
0
52
Figure 17. tON/tOFF Times vs. Temperature
0
57
13
-04
9
FREQUENCY (Hz)
OF
F
I
S
OL
A
T
ION
(
d
B
)
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
–100
–110
10k
100k
1M
10M
100M
1G
VDD = +15V
VSS = –15V
TA =25°C
Figure 18. Off Isolation vs. Frequency
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PDF描述 |
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参数描述 |
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