参数资料
| 型号： | ADG1219BRJZ-REEL7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH SPDT SOT23-8 |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | iCMOS® |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 475 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 140µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-8 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 801 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ADG1219BRJZ-REEL7DKR |
ADG1219
Rev. A | Page 4 of
16
B Version1
Parameters
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
POWER REQUIREMENTS
VDD = +16.5 V, VSS = 16.5 V
IDD
0.001
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1.0
μA max
IDD
140
μA typ
Digital inputs = 5 V
190
μA max
ISS
0.001
μA typ
Digital inputs = 0 V, 5 V or VDD
1.0
μA max
VDD/VSS
±5/±16.5
V
min/max
|VDD | = |VSS|
1 Temperature range for B version is 40°C to +125°C.
2 Guaranteed by design; not subject to production test.
SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameters
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V
On Resistance, RON
300
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA; see
475
567
625
Ω max
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
On Resistance Match Between
Channels, RON
4.5
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA
16
26
27
Ω max
On Resistance Flatness, RFLAT(ON)
60
Ω typ
VS = 3 V, 6 V, 9 V, IS = 1 mA
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 13.2 V
Source Off Leakage, IS (Off)
±0.006
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.1
±0.6
±1
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off)
±0.006
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.1
±0.6
±1
nA max
Channel On Leakage, ID, IS (On)
±0.02
nA typ
VS = VD = 1 V or 10 V; see
±0.2
±0.6
±1
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.001
μA typ
VIN = VINL or VINH
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
3
pF typ
Transition Time, tTRANSITION
195
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
250
300
340
ns max
VS = 8 V; see
tON (EN)
120
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
150
190
210
ns max
VS = 8 V; see
tOFF (EN)
145
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
185
220
255
ns max
VS = 8 V; see
Break-Before-Make Time Delay, tBBM
70
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
10
ns min
VS1 = VS2 = 8 V; see
Charge Injection
0.8
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see
Off Isolation
80
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see
Channel-to-Channel Crosstalk
80
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see
3 dB Bandwidth
400
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see
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