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参数资料
| 型号： | ADG1419BRMZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH 1 X SPDT 8MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | iCMOS® |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 1 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 4.6 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 电流 - 电源： | 58µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 802 (CN2011-ZH PDF) |
ADG1419
Rev. 0 | Page 4 of 16
Parameter
25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C
Unit
Test Conditions/Comments
POWER REQUIREMENTS
VDD = +16.5 V, VSS = 16.5 V
IDD
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1.0
μA max
IDD, 8-Lead MSOP
58
μA typ
Digital inputs = 5 V
95
μA max
IDD, 8-Lead LFCSP
120
μA typ
Digital inputs = 5 V
190
μA max
ISS
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V, 5 V or VDD
1.0
μA max
VDD/VSS
±4.5/±16.5
V min/max
Ground = 0 V
1 Guaranteed by design, not subject to production test.
+12 V SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V
On Resistance, RON
4
Ω typ
4.6
5.5
6.2
Ω max
VDD = +10.8 V, VSS = 0 V
On Resistance Match Between Channels, RON
0.08
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA
0.25
0.3
0.35
Ω max
On Resistance Flatness, RFLAT (ON)
1.2
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA
1.5
1.75
1.9
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
VDD = +13.2 V, VSS = 0 V
Source Off Leakage, IS (Off )
±0.1
nA typ
±0.5
±2
±75
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off )
±0.2
nA typ
±0.6
±3
±100
nA max
Channel On Leakage, ID, IS (On)
±0.2
nA typ
±1
±3
±100
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.005
μA typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
4
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS1
Transition Time, tTRANSITION
200
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
255
265
370
ns max
tON (EN)
145
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
190
220
245
ns max
tOFF (EN)
130
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
170
205
220
ns max
Break-Before-Make Time Delay, tD
55
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
33
ns min
Charge Injection
13
pC typ
Off Isolation
60
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see Figure 29
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