参数资料
型号: ADG1421BRMZ
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 11/16页
文件大小: 0K
描述: IC SW SPST 2.1OHM RON 10MSOP
标准包装: 50
系列: iCMOS®
功能: 开关
电路: 2 x SPST - NO
导通状态电阻: 4.6 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V
电流 - 电源: 120µA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 10-MSOP
包装: 管件
产品目录页面: 801 (CN2011-ZH PDF)
ADG1421/ADG1422/ADG1423
Rev. 0 | Page 4 of 16
Parameter
25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C
Unit
Test Conditions/Comments
POWER REQUIREMENTS
VDD = +16.5 V, VSS = 16.5 V
IDD
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1.0
μA max
IDD
120
μA typ
Digital inputs = 5 V
190
μA max
ISS
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V, 5 V, or VDD
1.0
μA max
VDD/VSS
±4.5/±16.5
V min/max
Ground = 0 V
1 Guaranteed by design, not subject to production test.
+12 V SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V
On Resistance, RON
4
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA; see Figure 23
4.6
5.5
6.2
Ω max
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
On Resistance Match Between Channels, RON
0.03
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA
0.15
0.17
0.18
Ω max
On Resistance Flatness, RFLAT (ON)
1.2
Ω typ
VS = 0V to 10 V, IS = 10 mA
1.5
1.75
1.9
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
Source Off Leakage, IS (Off )
±0.05
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see Figure 24
±0.5
±2
±75
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off )
±0.05
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see Figure 24
±0.5
±2
±75
nA max
Channel On Leakage, ID, IS (On)
±0.1
nA typ
VS = VD = 1 V or 10 V; see Figure 25
±1
±2
±75
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.005
μA typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
4
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS1
tON
180
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
230
295
340
ns max
VS = 8 V; see Figure 26
tOFF
130
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
165
205
235
ns max
VS = 8 V; see Figure 26
Break-Before-Make Time Delay, tD (ADG1433 Only)
70
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
48
ns min
VS1 = VS2 = 8 V; see Figure 27
Charge Injection
30
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF;
Off Isolation
60
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
Channel-to-Channel Crosstalk
70
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
3 dB Bandwidth
140
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see Figure 31
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