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参数资料
| 型号： | ADP1878-0.6-EVALZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 30/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL FOR ADP1878-0.6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
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(1.8 V ? 0.6 V)
?? ?? = 1 k Ω ×
= 2 k Ω
1
1
?? ????
=
=
= 8.33 A/V
?? ???????? =
?? ?????????? × ? 1 2 + ( ?? ( ?? ?? + ?????? ) ?? ?????? ) 2 ×
??? ?????????? + ?? ???????? ? 1 2 + ( ?? × ?????? × ?? ?????? ) 2
?? ??????
1
1
×
×
25 k Ω
?? ???????? =
×
√ 25 k Ω 2 + 6.25 k Ω 2
? 1 2 + (2 π × 25 k Ω × 0.0035 × 0.0011) 2
? 1 2 + (2 π × 25 k Ω × ((1.8/15) + 0.0035) × 0.0011) 2 ×
500 × 10 ?6 × 8.3
0.6
1.8
1
?? ???????? =
2 ???? ???????? ?? ????????
2 × 3.14 × 60.25 × 10 3 × 6.25 × 10 3
?? ?? 1 , ??2 ( ???? ) = ??? × ?? ?? 1 ( ???? ) + (1 ? ?? ) × ?? ??2 ( ???? ) ? × ?? ????????
2
?? ???????? ( ???????? )
?? ???????? ( ???????? ) =
× ?? ???????? × ?? ?? × 2
P DCR ( LOSS ) = DCR × I LOAD = 0.003 × (15 A) = 675 mW
ADP1878/ADP1879
Feedback Resistor Network Setup
Choosing R B = 1 kΩ as an example. Calculate R T as follows:
0.6
Compensation Network V
To calculate R COMP , C COMP , and C PAR , the transconductance
parameter and the current sense gain variable are required. The
transconductance parameter (G m ) is 500 μA/V, and the current
sense loop gain is
?? ???? R ON 24 × from
where A CS and ?? ???? are taken 0.005 setting up the current limit
(see the Programming Resistor (RES) Detect Circuit section
and the Valley Current-Limit Setting section).
The crossover frequency is 1/12 th of the switching frequency:
300 kHz/12 = 25 kHz
The zero frequency is 1/4 th of the crossover frequency:
25 kHz/4 = 6.25 kHz
2 2
?? ?? ?? ?????? ?? ?? ?? ????
1.8 × 1 × 15
= 60.25 kΩ
= 423 pF 1
Data Sheet
Loss Calculations
Duty cycle = 1.8/12 V = 0.15
R ON(N2) = 5.4 mΩ
t BODY(LOSS) = 20 ns (body conduction time)
V F = 0.84 V (MOSFET forward voltage)
C IN = 3.3 nF (MOSFET gate input capacitance)
Q N1,N2 = 17 nC (total MOSFET gate charge)
R GATE = 1.5 Ω (MOSFET gate input resistance)
= (0.15 × 0.0054 + 0.85 × 0.0054) × (15 A) 2
= 1.215 W
3 ×
= 20 ns × 300 × 10 ?? ???? 15 A × 0.84 × 2
= 151.2 mW
P SW(LOSS) = f SW × R GATE × C TOTAL × I LOAD × V IN × 2
= 300 × 10 3 × 1.5 ? × 3.3 × 10 ?9 × 15 A × 12 × 2
= 534.6 mW
P DR(LOSS) = [V DR × ( f SW C upperFET V DR + I BIAS )] + [ V REG ×
( f SW C lowerFET V REG + I BIAS )]
=(4.62 × (300 ×10 3 × 3.3 × 10 ?9 × 4.62 + 0.002)) +
(5.0 × (300 × 10 3 × 3.3 × 10 ?9 × 5.0 + 0.002))
= 57.12 mW
P DISS(LDO) = ( V IN – V REG ) × ( f SW × C TOTAL × V REG + I BIAS )
= (13 V – 5 V) × (300 × 10 3 × 3.3 × 10 ?9 × 5 + 0.002)
= 55.6 mW
P COUT = ( I RMS ) 2 × ESR = (1.5 A) 2 × 1.4 mΩ = 3.15 mW
2 2
P CIN = ( I RMS ) 2 × ESR = (7.5 A) 2 × 1 mΩ = 56.25 mW
P LOSS = P N1,N2 + P BODY(LOSS) + P SW + P DCR + P DR + P DISS(LDO) + P COUT
+ P CIN = 1.215 W + 151.2 mW + 534.6 mW + 57.12 mW +
55.6 + 3.15 mW + 675 mW + 56.25 mW = 2.655 W
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