参数资料
| 型号： | ADR434TRZ-EP |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VREF SRS PREC 4.096V 8-SOICN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | XFET® |
| 基准类型： | 串联，精度 |
| 输出电压： | 4.096V |
| 容差： | ±0.04% |
| 温度系数： | 3ppm/°C |
| 输入电压： | 6.1 V ~ 18 V |
| 通道数： | 1 |
| 电流 - 静态： | 800µA |
| 电流 - 输出： | 10mA |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP
SPECIFICATIONS
ADR431-EP ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V IN = 4.5 V to 18 V, I L = 0 mA, T A = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Typ
Max
Unit
OUTPUT VOLTAGE
V O
T Grade
2.499
2.500
2.501
V
INITIAL ACCURACY
V OERR
T Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
TCV O
±1.0
±0.04
mV
%
T Grade
?55°C < T A < +125°C
1.5
5
ppm/°C
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
VOLTAGE NOISE
VOLTAGE NOISE DENSITY
TURN-ON SETTLING TIME
LONG-TERM STABILITY 1
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS
RIPPLE REJECTION RATIO
SHORT CIRCUIT TO GND
SUPPLY VOLTAGE OPERATING RANGE
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
ΔV O /ΔV IN
ΔV O /ΔI L
ΔV O /ΔI L
I IN
e N p-p
e N
t R
?V O
V O_HYS
RRR
I SC
V IN
V IN ? V O
V IN = 4.5 V to 18 V, ?55°C < T A < +125°C
I L = 0 mA to 10 mA, V IN = 5 V, ?55°C < T A < +125°C
I L = ?10 mA to 0 mA, V IN = 5 V, ?55°C < T A < +125°C
No load, ?55°C < T A < +125°C
0.1 Hz to 10.0 Hz
1 kHz
C L = 0 μF
1000 hours
f IN = 1 kHz
4.5
2
5
580
3.5
80
10
40
20
?70
40
20
15
15
800
18
ppm/V
ppm/mA
ppm/mA
μA
μV p-p
nV/√Hz
μs
ppm
ppm
dB
mA
V
V
1
The long-term stability specification is noncumulative. The drift in subsequent 1000 hour periods is significantly lower than in the first 1000 hour period.
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PDF描述 |
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