参数资料
型号: ADSP-BF547KBCZ-6A
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 47/100页
文件大小: 0K
描述: IC DSP 600MHZ 400CSPBGA
标准包装: 1
系列: Blackfin®
类型: 定点
接口: SPI,SSP,TWI,UART,USB
时钟速率: 600MHz
非易失内存: 外部
芯片上RAM: 260kB
电压 - 输入/输出: 2.50V,3.30V
电压 - 核心: 1.25V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 400-LFBGA,CSPBGA
供应商设备封装: 400-CSPBGA(17x17)
包装: 托盘
Rev. C
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February 2010
ADSP-BF542/ADSP-BF544/ADSP-BF547/ADSP-BF548/ADSP-BF549
DDR SDRAM/Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing
Table 34 and Figure 20 describe DDR SDRAM/mobile DDR
SDRAM write cycle timing.
Table 34. DDR SDRAM/Mobile DDR SDRAM Write Cycle Timing
DDR SDRAM
Mobile DDR SDRAM
Parameter
Min
Max
Min
Max
Unit
Switching Characteristics
tDQSS
Write CMD to First DQS0-1
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
tDS
DQ0-15/DQM0-1 Setup to DQS0-1
0.90
ns
tDH
DQ0-15/DQM0-1 Hold to DQS0-1
0.90
ns
tDSS
DQS0-1 Falling to DCK0-1 Rising (DQS0-1 Setup)
0.20
tCK
tDSH
DQS0-1 Falling from DCK0-1 Rising (DQS0-1 Hold)
0.20
tCK
tDQSH
DQS0-1 High Pulse Width
0.35
0.40
0.60
tCK
tDQSL
DQS0-1 Low Pulse Width
0.35
0.40
0.60
tCK
tWPRE
DQS0-1 Write Preamble
0.25
tCK
tWPST
DQS0-1 Write Postamble
0.40
0.60
0.40
0.60
tCK
tDOPW
DQ0-15 and DQM0-1 Output Pulse Width (for Each)
1.75
ns
Figure 20. DDR SDRAM /Mobile DDR SDRAM Controller Write Cycle Timing
DCK0-1
DQS0-1
DQ0-15/DQM0-1
tDQSS
tDSH
tDSS
tDQSL
tDQSH
tWPST
tWPRE
tDS
tDH
tDOPW
CONTROL
Write CMD
Dn
Dn+1
Dn+2
Dn+3
NOTE: CONTROL =
DCS0-1, DCLKE, DRAS, DCAS, AND DWE.
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