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参数资料
| 型号： | AGR09070EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | AGR09070EF |
AGR09070EF
70 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 4. Power Gain vs. POUT
Figure 5. Modulation Spectrum vs. POUT
17.0
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105
POUT (W)Z
P
O
W
E
R
G
A
IN
(d
B
)Z
AGR09070EF; VDD = 26 V; FREQUENCY = 940.5 MHz
TYPICAL DATA
IDQ = 1000 mA
IDQ = 1100 mA
IDQ = 900 mA
IDQ = 700 mA
IDQ = 800 mA
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
POUT (dBm)Z
M
O
D
U
LA
T
IO
N
S
P
E
C
T
R
U
M
(d
B
c)
Z
AGR09070EF; FREQUENCY = 940.5 MHz
TYPICAL DATA
VDD = 26 V; IDQ = 800 mA
±400 kHz
±600 kHz
EDGE FORMAT: 3GPP GSM 05.05
RES BW: 30 kHz
VIDEO BW: 300 Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09085E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09085EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09085EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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