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参数资料
| 型号： | AGR09070EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | AGR09070EF |
70 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09070EF
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR09070EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PEAK DEVICES
XXXX
1
2
3
1
2
3
AGR09070EF
XXXX - 4 Digit Trace Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09085EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09085E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09085EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09085EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:85 W, 865 MHz-895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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