- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录36681 > AGR09085EU (TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AGR09085EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | AGR09085EU |
85 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR09085E
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR09085EU
AGR09085EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
2
3
1
3
1
2
1
3
2
3
1
PEAK DEVICES
AGR09085EU
XXXX
PEAK DEVICES
AGR09085EF
XXXX
XXXX - 4 Digit Trace Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR09085EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09085EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09085EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09085EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR09130EF | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09090EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130E | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09130EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR09130EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:130 W, 921 MHz-960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR09180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。