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参数资料
| 型号： | AGR09130EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | AGR09130EU |
AGR09130E
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C, FORMAT = CW.
Figure 4. POUT and Drain Efficiency vs. PIN
VDD = 26 V, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C.
Figure 5. Power Gain and Return Loss vs. Frequency
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
INPUT POWER (PIN) (W)Z
PO
W
ER
OU
T
(P
OU
T)
(W
)Z
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
DRAIN
EFFICIENCY
(Eff)
(%)
Z
POUT
PIN
940 MHz
960 MHz
920 MHz
960 MHz
940 MHz
920 MHz
14
14.5
15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
18.5
19
920
925
930
935
940
945
950
955
960
FREQUENCY (MHz)Z
POWER
GAIN
(P
G)
(dB)
Z
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
INPUT
RETURN
LOSS
(R
L)
(dB)
Z
RL
PG @ POUT = 50 W
PG @ POUT = 130 W
D
ra
ft
C
o
p
y
O
n
ly
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AGR1100 | 功能描述:可复位保险丝 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
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| AGR1100C | 功能描述:可复位保险丝 AGR1100C RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
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