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参数资料
| 型号： | AGR09130EU |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | SURFACE MOUNT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | AGR09130EU |
AGR09130E
130 W, 921 MHz—960 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
FREQUENCY = 940 MHz, VDD = 26 VDC, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C, EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05.
Figure 8. EDGE Modulation Spectrum vs. Power Out
VDD = 26 VDC, IDQ = 1.0 A, TF = 30 °C, EDGE FORMAT = 3GPP GSM 05.05
Figure 9. EVM vs. Power Out
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
35
37
39
41
43
45
47
49
POWER OUT (POUT) (dBm)Z
MODULATION
SPECTRUM
(dBc)
Z
+/-400 kHz
+/-600 kHz
0
1
2
3
4
5
6
35.00
37.00
39.00
41.00
43.00
45.00
47.00
49.00
POWER OUT (POUT) (dBm)Z
EVM
(%)
Z
960 MHz
940 MHz
920 MHz
D
ra
ft
C
o
p
y
O
n
ly
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AGR09180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR1000 | 功能描述:可复位保险丝 10/9.6A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100 | 功能描述:可复位保险丝 11/10.5A 16V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100-0.16 | 功能描述:可复位保险丝 AGR1100-0.16 RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
| AGR1100C | 功能描述:可复位保险丝 AGR1100C RoHS:否 制造商:Bourns 电流额定值: 电阻:7.5 Ohms 最大直流电压: 保持电流:0.1 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 跳闸电流:0.6 A 引线间隔: 系列:MF-PSHT 工作温度范围:- 40 C to + 125 C |
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