参数资料
型号: AGR09180EU
厂商: LSI CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: SURFACE MOUNT PACKAGE-4
文件页数: 7/10页
文件大小: 553K
代理商: AGR09180EU
6
Agere Systems Inc.
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
November 2003
AGR09180E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 6. Power Gain vs. Power Out
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C, WAVEFORM = CW.
Figure 7. Power Out and Drain Efficiency vs. Input Power
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
POUT (W)
PO
WER
G
A
IN
(
P
g)
(
d
B)
Z
865 MHz
880 MHz
895 MHz
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
PIN (W)Z
P
OUT
(W
)Z
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
DRAIN
EFFICIENCY
(
E
ff.)
(
%
)Z
POUT
EFFICIENCY
865 MHz
880 MHz
895 MHz
865 MHz
880 MHz
895 MHz
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