参数资料
型号: AGR09180EU
厂商: LSI CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装: SURFACE MOUNT PACKAGE-4
文件页数: 8/10页
文件大小: 553K
代理商: AGR09180EU
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR09180E
November 2003
180 W, 865 MHz—895 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, FREQUENCY = 880 MHz.
Figure 8. Power Gain vs. Power Out
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 1700 mA, TC = 30 °C.
PULSE WIDTH = 8 s, DUTY FACTOR = 10%.
Figure 9. Power Out vs. Input Power
16.5
17.0
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
OUTPUT POWER (POUT) (W)Z
PO
WER
G
A
IN
(
P
g)
(
d
B)
Z
IDQ = 1100 mA
IDQ = 2000 mA
IDQ = 1400 mA
IDQ = 1700 mA
IDQ = 2300 mA
70
90
110
130
150
170
190
210
230
250
270
290
310
330
0123456789 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PIN (W)Z
P
OUT
(W
)Z
880 MHz
865 MHz
895 MHz
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