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参数资料
| 型号： | AGR21090EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | AGR21090EF |
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21090E
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f0 = 2140 MHz, IDQ = 800 mA.
CW input.
Figure 10. AM-AM and AM-PM Characteristics
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
15.0
20.0
25.0
30.0
35.0
40.0
45.0
PIN (dBm)Z
PG
S
(d
B)
Z
-20.00
-16.00
-12.00
-8.00
-4.00
0.00
4.00
8.00
PH
AS
E
(d
eg
re
es
)Z
AM TO AM
(power gain [dB])
AM TO PM
(PHASE [degrees])
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AGR21125EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| AGR21125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全称:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21180EF | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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