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参数资料
| 型号： | AGR21180EF |
| 厂商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 355K |
| 代理商： | AGR21180EF |
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21180EF
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA, 2140 MHz.
Figure 6. Power Gain and Drain Efficiency vs. Output Power (CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA.
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 7. IM3, IM5, and IM7 vs. Output Power (2 CW signal data)
9
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11
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14
15
1
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100
1000
POUT (W)
G
PS
(d
B)
0
10
20
30
40
50
60
(
%
)
GPS
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
1
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100
1000
POUT (W, PEP)
IM
3,
IM
5,
AN
D
IM
7
(d
Bc
)Z
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
(
%
)
IM5
IM7
IM3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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